韓國媒體近來對中國在極紫外（EUV）光刻技術(shù)領(lǐng)域的進展持悲觀態(tài)度，認為中國的核心技術(shù)仍落后于國際先進水平。在全球半導體競爭加劇的背景下，中國不僅投入巨額資源研發(fā)EUV光刻技術(shù)，還探索“光刻工廠”這一聚合實驗室環(huán)境的創(chuàng)新模式，力圖通過技術(shù)開發(fā)和咨詢突破封鎖。這種自建策略將助力中國防范芯片系統(tǒng)被多個供應商卡脖子的險境，標志著中國半導體生態(tài)正更堅定地向源頭自主創(chuàng)新發(fā)進新步，而不只是漸進式追趕，從而為更安全的數(shù)字基石打下具體根基?